可控硅控制器全動圖測試英文臺技術參數：DBC-161 
   雙向可控硅組件的全動向檢測方法，實際的上是模擬系統元器的工頻軟件睡眠狀態，在正半周施用介于兩相電正弦交流電半波的額定通態的均感應電流，使元器企業自身起熱，當起熱與散熱管實現熱均衡時，元器結溫將固定在一定程度值，此時此刻在負半周施用順向或交叉不多次抄襲最高值額定電阻或多次抄襲最高值額定電阻，在順向或交叉多次抄襲最高值額定電阻下讀取數據順向或交叉多次抄襲的均漏感應電流。在沒有加順向或交叉最高值額定電阻時測取元器的通態的均壓降。當多次抄襲的均漏感應電流和通態的均壓降都乘以原則設定值時，該元器為全動向檢測方法完成。  
　　可控硅的全動態圖片檢測是去部標檢測條件中歸定的元器在原廠必測建設項目，它能將這些在低溫檢測時按順序基線電流量電壓和漏電流量都完成而在通額定容量電流量時結溫過高漏電流量過大的元器廢除掉，切實保障了元器在原廠選擇的安全性。  
該測試儀臺電路的設計、主保持回路無裝載熱敏電阻、節電能力高、作業簡易、保護性穩定可靠，是IGBT功能模塊 保持產品的產品品質*的首要探測機械。  
　　重點技術應用依據：  
　　1.通態均值瞬時電流測量範圍： 50—500A ,50—800A ,50—1000A（分八擋）  
　　2.通態總值壓降測評條件： 0—1.5 V  
　　3.正反兩面向閥值電壓降測試圖片條件： 0—2500 V  
　　4.正反面向平均的漏電流測試方法的范圍：0—15 mA  
　　5.機內搭配示波器供關看伏安基本特性弧度  
　　6.保障區英文工作：當漏電流進保障區英文修改值時，保障區英文的線路能自功在一大半定期（10mS）內關閉程序壓力，保證 被測元器不被熱擊穿  
　　7.一系列急冷方試：開環制冷見風一系列急冷  
　　8.配電局措施：運用Ａ相和Ｃ相380V配電局，zui大(da)在使用耗油率約15KVA