電子器材束實驗設計儀  技術參數：EB-V 
用處和需求 
* 科研光學在電磁場和電磁場中移動變化基本規律基本規律； 
* 知道示波管的的結構和各電的功用； 
* 掌握了光電束在橫排靜電場效用下電偏轉運公司動基本規律； 
* 撐握智能束在可以不勻稱電磁場的作用下的電凝焦的運動原理； 
* 把控電子元器件束在豎向磁感線效果下的磁偏轉化動規律公式； 
* 正確掌握電商束在可以電磁波目的下的磁瞄準行動按原則，地檢測法電商荷質比。 
枝術叁數及優點和缺點 
* 示波管（8SJ31J） 
* 焦聚電壓值：280～380V 
* 加速器額定電壓：-850～-1300V 
* 偏轉線電壓：-80～+80V 
* Y軸電偏轉精準度：＞0.4mm/V 
* Y軸磁偏轉機靈度：＞0.3mm/mA 
* 磁焦點恒流源zui大的輸出感應電流：2.（Ⅱ型自購） 
* 電子元器件荷質比量測粗差：≤5% 

* 主機一體板化組成； 
* 五塊錢電表區分顯視直流高壓、低電壓和電壓值； 
* 可使用4次這微電子廠束的磁集中調查，地法測定微電子廠荷質比； 
* 勵(li)磁電主機電源采取大電流(liu)值恒流(liu)源，更(geng) 穩(wen)定可靠