二管技術指標各種(zhong)測試儀器 主要(yao)參數:
產品的應用和說明
1 簡單介(jie)紹
JFY2012B型二(er)管技術指標設(she)置公(gong)測(ce)儀(yi)是專為公(gong)測(ce)半導體(ti)設(she)備的(de)(de)作用和技術指標設(she)置設(she)計制作的(de)(de),可公(gong)測(ce)整流(liu)(liu)二(er)管,三端肖(xiao)特(te)基整流(liu)(liu)器,.其好的(de)(de)的(de)(de)中文名字(zi)對(dui)(dui)話框手(shou)機app,簡化版了用戶名對(dui)(dui)JFY2012B的(de)(de)進(jin)行操(cao)作流(liu)(liu)程和源(yuan)程序,帶來了怏速的(de)(de)1次公(gong)測(ce)能(neng)力和公(gong)測(ce)技術指標設(she)置的(de)(de)設(she)計,發送到EEPROM中.不(bu)但,不(bu)需額(e)外增加不(bu)管什(shen)么手(shou)機app或由特(te)別的(de)(de)培訓班,就可進(jin)行操(cao)作流(liu)(liu)程該醫療儀(yi)器.
JFY2012B有下列優(you)缺點:
※ 大屏廣告幕教學液晶(jing),中(zhong)文名方(fang)法(fa)軟件界面,界面顯(xian)示正確(que)性簡(jian)潔設計,方(fang)法(fa)部分簡(jian)單易行.
※ 大余量EEPROM文件(jian)存(cun)儲器(qi),儲存(cun)量可多于1000種設施型號查詢數.
※大部(bu)分可編程控制(zhi)器序的DUT恒流源和電(dian)流電(dian)壓(ya)源.
※內置(zhi)繼電氣(qi)矩陣計算自行接入所需要(yao)的(de)(de)的(de)(de)自測(ce)英(ying)文控制電路(lu),輸出功率/電流大小源和自測(ce)英(ying)文回路(lu)開關(guan).
※ 超高壓試驗瞬時電流(liu)辨別率1uA,試驗電流(liu)可達到1400V.
※ 連(lian)續”電路開關”式(shi)檢測消(xiao)除了元器件發熱怎么辦和(he)間歇式(shi)的情況.
※ 電腦(nao)軟件自校對特點.
1.2 簡(jian)要
JFY2012B為種種各(ge)種類型二管,肖特基二管等提供(gong)了(le)了(le)順(shun)向壓(ya)降(VF)反相(xiang)耐(nai)(VR),反相(xiang)漏(lou)電(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)流(IR) 注意技術指(zhi)(zhi)標值的檢(jian)驗,和技術指(zhi)(zhi)標值”完(wan)成/不完(wan)成”(OK/NO)檢(jian)驗,,檢(jian)驗順(shun)向壓(ya)降電(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)流達到(dao)100A,擊穿電(dian)(dian)壓(ya)達到(dao)1400V,且業主可能夠 機上的筆記(ji)本鍵盤,很更易的把檢(jian)驗環(huan)境(jing)手機輸入(ru)進入(ru),并將(jiang)技術指(zhi)(zhi)標值導入(ru)到(dao)EEPROM中,以及(ji)過后簡單方便(bian)且怏速的點開(kai)調節.
.1 技能測(ce)驗(yan)用電線路(lu)
智能(neng)方法:智能(neng)檢驗是不(bu)是DUT放于測試(shi)(shi)方法圖片座中,有則(ze)智能(neng)始終位于再(zai)次測試(shi)(shi)方法圖片情況,無則(ze)始終位于再(zai)次檢驗情況.
手工(gong)經營(ying)模式; (剛才能未(wei)檢(jian)查(cha)時(shi)熒屏白屏屬普通 物理現象)當檢(jian)查(cha)旋(xuan)鈕(niu)按過后才自功(gong)對(dui)檢(jian)查(cha)座中的(de)DUT做好(hao)查(cha)重檢(jian)查(cha),長按旋(xuan)鈕(niu)不(bu)彈起來則始終(zhong)處于反(fan)復(fu)重復(fu)檢(jian)查(cha)階段,彈起來旋(xuan)鈕(niu)則自功(gong)為止檢(jian)查(cha).
1.2. 2 設施的規格
外接電源電阻值:AC220V,50HZ, 工作效率:≤75W。
上班學(xue)習環境(jing):0—40°C , 相較溫度濕(shi)度:≯85% 。
外貌盡寸(cun):300×300×20mm 。
自重:約(yue)4.5 Kg 。

聯系人:王汝玄
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