廠品簡單 
設計原理：會按照硅、鍺單晶硅的搬遷率、內阻率和沉渣有機廢氣滲透壓的密切關系，可會在測量、確定出尖晶石內的沉渣有機廢氣滲透壓。  
適用人群領域：它是和于測試橫剖面厚度是可測試的，另一方面棒的段長度多于橫剖面線度的有守則的長棒，如橫剖面為圓形形、圓形形、長圓形或梯狀的單晶體或多晶錠。  
使用：隨著自動精確測量沿錠長沉淀物質量含量的區域系統關鍵護膚品的不合格局部，使用沉淀物質量含量的間接自動精確測量，關鍵多晶體發芽時中的添加數據。  
檢樣可在室溫或溫度過低下衡量。  
彰顯信息的方法：器材接觸PC機，實現自測游戲估算，用對數計算地圖坐標的的方法來彰顯信息不溶物滲透壓（含次方數）沿錠長的地域分布擬合直線，可對擬合直線圖開始網頁打印和存放。  
估測區間： 可測結晶電阻器率：0.005-3000Ω·cm。  
交流(liu)(liu)電數(shu)子電流(liu)(liu)表(biao)在測(ce)量規模：0-199.99mV，敏(min)感度：10μA。